Name: PSMN1R0-100ASEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R0-100ASEJTR-ND
Price: 290.2064 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PSMN1R0-100ASEJ
Číslo produktu DigiKey	1727-PSMN1R0-100ASEJTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PSMN1R0-100ASEJCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PSMN1R0-100ASEJDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PSMN1R0-100ASEJ
Popis	PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 430A (Tc) 1550W (Tc) Montáž na povrch CCPAK1212
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	PSMN1R0-100ASEJ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,6V při 1mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 509 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 36460 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1550W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 430A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra CCPAK1212
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 12-BESOP (0,370", 9,40mm šířka), Podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,04mOhm při 25A, 10V