Name: PMZB150UNEYL
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PMZB150UNEYLTR-ND
Price: 11.6039 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PMZB150UNEYL
Číslo produktu DigiKey	1727-PMZB150UNEYLTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PMZB150UNEYLCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PMZB150UNEYLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PMZB150UNEYL
Popis	MOSFET N-CH 20V 1.5A DFN1006B-3
Standardní dodací lhůta výrobce	30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 1,5A (Ta) 350mW (Ta), 6,25W (Tc) Montáž na povrch DFN1006B-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 950mV při 250µA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1.6 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 93 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 350mW (Ta), 6,25W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,5A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra DFN1006B-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,5V, 4,5V	Pouzdro 3-XFDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 200mOhm při 1,5A, 4,5V	Základní číslo produktu PMZB150

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 0

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®