PMPB8XNX Nexperia USA Inc. | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

PMPB8XNX je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Nexperia USA Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 14,81000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PMPB8XNX
Číslo produktu DigiKey	1727-PMPB8XNXTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PMPB8XNXCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PMPB8XNXDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PMPB8XNX
Popis	MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 10,1A (Ta) 1,9W (Ta), 12,5W (Tc) Montáž na povrch DFN2020MD-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 900mV při 250µA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 30 nC @ 4.5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1696 pF @ 10 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 1,9W (Ta), 12,5W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10,1A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra DFN2020MD-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 1,5V, 4,5V	Pouzdro 6-UDFN podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 12mOhm při 10,1A, 4,5V	Základní číslo produktu PMPB8

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (1)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
PMPB10XNE,115	Nexperia USA Inc.	0	1727-PMPB10XNE,115CT-ND	14,81000 Kč	MFR Recommended

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.

PMPB8XNX