PDTC115EM,315 Nexperia USA Inc. | Diskrétní polovodičové produkty

PDTC115EM,315 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Similar

onsemi

Skladem : 366 000

Jednotková cena : 1,47350 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 1 090

Jednotková cena : 3,79000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 9 835

Jednotková cena : 5,05000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PDTC115EM,315
Číslo produktu DigiKey	1727-3031-2-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PDTC115EM,315
Popis	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Bipolární tranzistor s předpěťovým obvodem (BJT) NPN - s předpěťovým obvodem 50 V 20 mA 250 mW Montáž na povrch SOT-883
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	PDTC115EM,315 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Bipolární (BJT) Bipolární tranzistory - jednoduché a s předpěťovým obvodem
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru	NPN - s předpěťovým obvodem
Proud kolektoru (Ic) (max)	20 mA
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	50 V
Včetně rezistorů	R1 a R2
Odpor - báze (R1)	100 kOhms
Odpor - emitor- báze (R2)	100 kOhms
Stejnosměrný proudový zisk (hFE) (min) při Ic, Vce	80 při 5mA, 5V
Saturace Vce (max) při Ib, Ic	150mV při 250µA, 5mA
Zbytkový proud kolektoru (max)	1µA
Výkon - max	250 mW
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SC-101, SOT-883
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-883
Základní číslo produktu	PDTC115