Name: GANE3R9-150QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND
Price: 244.42 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GANE3R9-150QBAZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GANE3R9-150QBAZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GANE3R9-150QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GANE3R9-150QBAZ
Popis	GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 100A (Ta) 65W (Ta) Montáž na povrch 25-VQFN (4x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 12mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2200 pF @ 75 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 65W (Ta)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra 25-VQFN (4x6)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V	Pouzdro 25-PowerVFQFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,9mOhm při 30A, 5V