Name: GANE3R9-150QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND
Price: 283.2973 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GANE3R9-150QBAZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GANE3R9-150QBAZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GANE3R9-150QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GANE3R9-150QBAZ
Popis	GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 100A (Ta) 65W (Ta) Montáž na povrch 25-VQFN (4x6)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,9mOhm při 30A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2,1V při 12mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	20 nC @ 5 V
Vgs (max)	+6V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2200 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	65W (Ta)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	25-VQFN (4x6)
Pouzdro	25-PowerVFQFN