Name: GANB1R2-040QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANB1R2-040QBAZTR-ND
Price: 221.0428 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GANB1R2-040QBAZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GANB1R2-040QBAZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GANB1R2-040QBAZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GANB1R2-040QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GANB1R2-040QBAZ
Popis	GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 100A (Tc) 105W (Tc) Montáž na povrch 27-VQFN (6x4)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,4V při 1mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 60 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) 6V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3500 pF @ 20 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 105W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -40°C ~ 125°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 100A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra 27-VQFN (6x4)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V	Pouzdro 27-PowerVFQFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,2mOhm při 10A, 5V