GAN039-650NTBZ Nexperia USA Inc. | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

GAN039-650NTBZ není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Nexperia USA Inc.

Skladem : 576

Jednotková cena : 317,49000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GAN039-650NTBZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN039-650NTBZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GAN039-650NTBZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GAN039-650NTBZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN039-650NTBZ
Popis	650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 58,5A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch CCPAK1212i
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,6V při 1mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 26 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1980 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 250W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 58,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra CCPAK1212i
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro 12-BESOP (0,370", 9,40mm šířka), Podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 39mOhm při 32A, 10V