Name: NVG025A08TC
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NVG025A08TCTR-ND
Price: 127.5461 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVG025A08TC
Číslo produktu DigiKey	1913-NVG025A08TCTR-ND - Páska a cívka (TR) 1913-NVG025A08TCCT-ND - Řezaná páska (CT) 1913-NVG025A08TCDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Navitas Semiconductor, Inc.
Číslo produktu výrobce	NVG025A08TC
Popis	GANFET DISCRETE 80V 2.5MOHM PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) Montáž na povrch 6-PQFN (3x5)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 2,5mOhm při 25A, 5V
Mfr Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (max) při Id 2.9V @ 10mA
Řada GaNFast™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1250 pF @ 40 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Dodávaná velikost pouzdra 6-PQFN (3x5)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 23A (Ta), 86A (Tc)	Pouzdro 6-PowerTQFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V