Name: NV6026C
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6026CTR-ND
Price: 128.0543 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NV6026C
Číslo produktu DigiKey	1913-NV6026CTR-ND - Páska a cívka (TR) 1913-NV6026CCT-ND - Řezaná páska (CT) 1913-NV6026CDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Navitas Semiconductor, Inc.
Číslo produktu výrobce	NV6026C
Popis	GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 900 V 11A (Tc) Montáž na povrch 8-PDFN (8x8)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 210mOhm při 4A, 6V
Mfr Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (max) při Id 2,6V při 7mA
Řada GaNFast™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 2.4 nC @ 6 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 74 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 900 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PDFN (8x8)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11A (Tc)	Pouzdro 8-VDFN podložka pro odvod tepla
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V