P-kanál 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Průchozí otvor TO-92-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

VP3203N3-G

Číslo produktu DigiKey
VP3203N3-G-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
VP3203N3-G
Popis
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Standardní dodací lhůta výrobce
4 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Průchozí otvor TO-92-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
VP3203N3-G Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 10mA
Mfr
Vgs (max)
±20V
Balení
Sáček
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
300 pF @ 25 V
Stav součásti
Aktivní
Rozptylový výkon (Max)
740mW (Ta)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Dodávaná velikost pouzdra
TO-92-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
600mOhm při 3A, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 1 095
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Sáček
Množství Jednotková cena Celk. cena
138,85000 Kč38,85 Kč
2532,33680 Kč808,42 Kč
10029,18720 Kč2 918,72 Kč
Jednotková cena bez DPH:38,85000 Kč
Jednotková cena s DPH:47,00850 Kč