Pole MOSFET 1200V (1,2kV), 700V 89A (Tc), 124A (Tc) 395W (Tc), 365W (Tc) Montáž na šasi
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

MSCSM120HRM311AG

Číslo produktu DigiKey
150-MSCSM120HRM311AG-ND
Výrobce
Microchip Technology
Číslo produktu výrobce
MSCSM120HRM311AG
Popis
MOSFET 4N-CH 1200V/700V 89A
Standardní dodací lhůta výrobce
20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV), 700V 89A (Tc), 124A (Tc) 395W (Tc), 365W (Tc) Montáž na šasi
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Microchip Technology
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
4 N-kanál (tříúrovňový invertor)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV), 700V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
89A (Tc), 124A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
31mOhm při 40A, 20V, 19mOhm při 40A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
2,8V při 3mA, 2,4V při 4mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
232nC při 20V, 215nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3020pF při 1000V, 4500pF při 700V
Výkon - max
395W (Tc), 365W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
-
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 8
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
12 868,75000 Kč2 868,75 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:2 868,75000 Kč
Jednotková cena s DPH:3 471,18750 Kč