Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 288.6334 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

MSC080SMA120SDT/R
Číslo produktu DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Výrobce	Microchip Technology
Číslo produktu výrobce	MSC080SMA120SDT/R
Popis	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce	4 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 100mOhm při 15A, 20V
Mfr Microchip Technology	Vgs(th) (max) při Id 2,8V při 1mA
Řada MSiC™ MA	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 64 nC @ 20 V
Balení Hromadné balení	Vgs (max) +23V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 838 pF @ 1000 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 182W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 35A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263-7
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 20V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 797

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Hromadné balení

Jednotková cena bez DPH:	238,54000 Kč
Jednotková cena s DPH:	288,63340 Kč

MSC080SMA120SDT/R