TO-263-7
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

MSC080SMA120SDT/R

Číslo produktu DigiKey
150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Výrobce
Microchip Technology
Číslo produktu výrobce
MSC080SMA120SDT/R
Popis
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Standardní dodací lhůta výrobce
4 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Microchip Technology
Řada
MSiC™ MA
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
35A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
100mOhm při 15A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
2,8V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (max)
+23V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
838 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
182W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263-7
Pouzdro
TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 797
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
1239,13000 Kč239,13 Kč
25220,60400 Kč5 515,10 Kč
100191,97600 Kč19 197,60 Kč
Jednotková cena bez DPH:239,13000 Kč
Jednotková cena s DPH:289,34730 Kč