Name: 2N7000-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 2N7000-G-ND
Price: 12.705 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

2N7000-G
Číslo produktu DigiKey	2N7000-G-ND
Výrobce	Microchip Technology
Číslo produktu výrobce	2N7000-G
Popis	MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Standardní dodací lhůta výrobce	7 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Průchozí otvor TO-92-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	2N7000-G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 1mA
Mfr Microchip Technology	Vgs (max) ±30V
Balení Sáček	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 60 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-92-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 200mA (Tj)	Pouzdro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu 2N7000
Rds zap (max) při Id, Vgs 5Ohm při 500mA, 10V