MCB60I1200TZ-TUB IXYS | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

MCB60I1200TZ-TUB
Číslo produktu DigiKey	238-MCB60I1200TZ-TUB-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	MCB60I1200TZ-TUB
Popis	SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 90A (Tc) Montáž na povrch TO-268AA (D3Pak-HV)
Modely EDA/CAD	MCB60I1200TZ-TUB Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	34mOhm při 50A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 15mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	160 nC @ 20 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2790 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-268AA (D3Pak-HV)
Pouzdro	TO-268-3, D3PAK (2 přívody + výstupek), TO-268AA
Základní číslo produktu	MCB60I1200