


IXTY2N65X2 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXTY2N65X2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTY2N65X2 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 2A TO252 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 27 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4.3 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 180 pF @ 25 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 55W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,3Ohm při 1A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N60NZTM | onsemi | 35 873 | FDD5N60NZTMCT-ND | 39,63000 Kč | Similar |
| IPD80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | 624 | IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND | 34,41000 Kč | Similar |
| STD4N62K3 | STMicroelectronics | 3 318 | 497-STD4N62K3CT-ND | 59,02000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 70,49000 Kč | 70,49 Kč |
| 70 | 33,49100 Kč | 2 344,37 Kč |
| 140 | 30,33436 Kč | 4 246,81 Kč |
| 560 | 25,44409 Kč | 14 248,69 Kč |
| 1 050 | 23,72720 Kč | 24 913,56 Kč |
| 2 030 | 22,19436 Kč | 45 054,55 Kč |
| 5 040 | 20,53224 Kč | 103 482,49 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 70,49000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 85,29290 Kč |

