Name: IXTY01N100D-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY01N100D-TRLTR-ND
Price: 148.1282 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTY01N100D-TRL
Číslo produktu DigiKey	238-IXTY01N100D-TRLTR-ND - Páska a cívka (TR) 238-IXTY01N100D-TRLCT-ND - Řezaná páska (CT) 238-IXTY01N100D-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXTY01N100D-TRL
Popis	MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál, režim vybíjení 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 25µA
Mfr IXYS	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5.8 nC @ 5 V
Řada Depletion	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 100 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,1W (Ta), 25W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál, režim vybíjení	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1000 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 400mA (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 0V	Základní číslo produktu IXTY01
Rds zap (max) při Id, Vgs 80Ohm při 50mA, 0V