
IXTQ170N10P | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 238-IXTQ170N10P-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTQ170N10P |
Popis | MOSFET N-CH 100V 170A TO3P |
Standardní dodací lhůta výrobce | 38 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 170A (Tc) 715W (Tc) Průchozí otvor TO-3P |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 9mOhm při 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 198 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 6000 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 715W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-3P | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 262,87000 Kč | 262,87 Kč |
30 | 158,58567 Kč | 4 757,57 Kč |
120 | 135,74908 Kč | 16 289,89 Kč |
510 | 129,87261 Kč | 66 235,03 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 262,87000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 318,07270 Kč |