
IXTQ110N10P | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXTQ110N10P-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTQ110N10P |
Popis | MOSFET N-CH 100V 110A TO3P |
Standardní dodací lhůta výrobce | 26 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 110A (Tc) 480W (Tc) Průchozí otvor TO-3P |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 15mOhm při 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 110 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3550 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 480W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-3P | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 175,96000 Kč | 175,96 Kč |
| 30 | 102,61733 Kč | 3 078,52 Kč |
| 120 | 86,48725 Kč | 10 378,47 Kč |
| 510 | 76,59535 Kč | 39 063,63 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 175,96000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 212,91160 Kč |

