IXTQ110N055P IXYS | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTQ110N055P
Číslo produktu DigiKey	IXTQ110N055P-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXTQ110N055P
Popis	MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 55 V 110A (Tc) 390W (Tc) Průchozí otvor TO-3P

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5,5V při 250µA
Mfr IXYS	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 76 nC @ 10 V
Řada Polar	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2210 pF @ 25 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 390W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 55 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-3P
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 110A (Tc)	Pouzdro TO-3P-3, SC-65-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IXTQ110
Rds zap (max) při Id, Vgs 13,5mOhm při 500mA, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Zastaralý

Tento produkt se již nevyrábí.

Nezrušitelné/nevratné

IXTQ110N055P