
IXTP75N10P | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXTP75N10P-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTP75N10P |
Popis | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 75A (Tc) 360W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5,5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 74 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2250 pF @ 25 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 360W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-220-3 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 25mOhm při 500mA, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | 68 | DMNH10H028SCTDI-5-ND | 46,62000 Kč | Similar |
| HUF75645P3 | onsemi | 64 | HUF75645P3-ND | 79,79000 Kč | Similar |
| IPP114N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 319 | 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND | 61,73000 Kč | Similar |
| STP40NF10 | STMicroelectronics | 1 600 | 497-3188-5-ND | 45,57000 Kč | Similar |
| STP40NF10L | STMicroelectronics | 648 | 497-6741-5-ND | 56,69000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 144,68000 Kč | 144,68 Kč |
| 50 | 76,91140 Kč | 3 845,57 Kč |
| 100 | 70,37270 Kč | 7 037,27 Kč |
| 500 | 58,92794 Kč | 29 463,97 Kč |
| 1 000 | 55,25435 Kč | 55 254,35 Kč |
| 2 000 | 53,93074 Kč | 107 861,48 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 144,68000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 175,06280 Kč |

