IXTP18N60PM je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 995
Jednotková cena : 66,10000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 348
Jednotková cena : 50,31000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 604
Jednotková cena : 49,05000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 742
Jednotková cena : 73,46000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 25
Jednotková cena : 103,36000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 32,99693 Kč
Katalogový list
IXFP30N25X3M
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTP18N60PM

Číslo produktu DigiKey
IXTP18N60PM-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTP18N60PM
Popis
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 9A (Tc) 90W (Tc) Průchozí otvor TO-220 izolovaná podložka
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
420mOhm při 9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2500 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
90W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220 izolovaná podložka
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné