IXTP10N60PM je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 488
Jednotková cena : 52,50000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 10,44609 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 373
Jednotková cena : 62,57000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 942
Jednotková cena : 41,58000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 523
Jednotková cena : 98,90000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 39,48000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 5A (Tc) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTP10N60PM

Číslo produktu DigiKey
IXTP10N60PM-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTP10N60PM
Popis
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 5A (Tc) 50W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
740mOhm při 5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1610 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
50W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné