
IXTN200N10T | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXTN200N10T-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTN200N10T |
Popis | MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B |
Standardní dodací lhůta výrobce | 34 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Montáž na šasi SOT-227B |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 152 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9400 pF @ 25 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 550W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na šasi |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V | Dodávaná velikost pouzdra SOT-227B |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 5,5mOhm při 50A, 10V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 936,09000 Kč | 936,09 Kč |
| 10 | 700,19900 Kč | 7 001,99 Kč |
| 100 | 597,73120 Kč | 59 773,12 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 936,09000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 1 132,66890 Kč |


