Name: IXTN200N10L2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTN200N10L2-ND
Price: 1465.2495 CZK
Availability: InStock

N-kanál 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) Montáž na šasi SOT-227B

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTN200N10L2
Číslo produktu DigiKey	238-IXTN200N10L2-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXTN200N10L2
Popis	MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 178A (Tc) 830W (Tc) Montáž na šasi SOT-227B
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 3mA
Mfr IXYS	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 540 nC @ 10 V
Řada Linear L2™	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 23000 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 830W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na šasi
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra SOT-227B
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 178A (Tc)	Pouzdro SOT-227-4, miniBLOC
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IXTN200
Rds zap (max) při Id, Vgs 11mOhm při 100A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 913

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	1 210,95000 Kč	1 210,95 Kč
10	920,78300 Kč	9 207,83 Kč
100	840,41980 Kč	84 041,98 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.