Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IXTH30N60L2 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 238-IXTH30N60L2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTH30N60L2 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 46 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IXTH30N60L2 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 335 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 10700 pF @ 25 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 540W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247 (IXTH) |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 240mOhm při 15A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| APT34F60B | Microchip Technology | 0 | APT34F60B-ND | 255,13625 Kč | Similar |
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | 82 | 448-IPW60R125C6FKSA1-ND | 149,72000 Kč | Similar |
| SIHG15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG15N60E-GE3-ND | 96,59000 Kč | Similar |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 1 812 | SPW17N80C3FKSA1-ND | 148,88000 Kč | Similar |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 50 | 497-15284-5-ND | 83,78000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 506,47000 Kč | 506,47 Kč |
| 30 | 321,66133 Kč | 9 649,84 Kč |
| 120 | 281,23850 Kč | 33 748,62 Kč |
| 510 | 276,39420 Kč | 140 961,04 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 506,47000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 612,82870 Kč |





