Name: IXTA3N120
Brand: IXYS
SKU: IXTA3N120-ND
Price: 283.2973 CZK
Availability: InStock

N-kanál 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTA3N120
Číslo produktu DigiKey	IXTA3N120-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXTA3N120
Popis	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA
Mfr IXYS	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 42 nC @ 10 V
Balení Trubice	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1350 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 200W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,5Ohm při 1,5A, 10V	Základní číslo produktu IXTA3

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 963

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	234,13000 Kč	234,13 Kč
50	130,49000 Kč	6 524,50 Kč
100	120,50750 Kč	12 050,75 Kč
500	103,04390 Kč	51 521,95 Kč
1 000	102,02130 Kč	102 021,30 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.