


IXSJ80N120R1K | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 238-IXSJ80N120R1K-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXSJ80N120R1K |
Popis | 1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET |
Standardní dodací lhůta výrobce | 35 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 85A (Tc) 223,2W (Tc) Průchozí otvor ISO247-4L |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,8V při 22,2mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 155 nC @ 18 V |
Balení Trubice | Vgs (max) +21V, -4V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4556 pF @ 800 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 223,2W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra ISO247-4L |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V | Pouzdro |
Rds zap (max) při Id, Vgs 23,4mOhm při 40A, 18V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 732,20000 Kč | 732,20 Kč |
| 30 | 480,32933 Kč | 14 409,88 Kč |
| 120 | 440,09183 Kč | 52 811,02 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 732,20000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 885,96200 Kč |

