Name: IXSJ80N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1-ND
Price: 738.9954 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXSJ80N120R1
Číslo produktu DigiKey	238-IXSJ80N120R1-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXSJ80N120R1
Popis	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 85A (Tc) 266W Průchozí otvor ISO247-3L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	85A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	22,5mOhm při 40A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,8V při 22,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	154 nC @ 18 V
Vgs (max)	+21V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4522 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	266W
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	ISO247-3L
Pouzdro	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	610,74000 Kč	610,74 Kč
30	396,86000 Kč	11 905,80 Kč
120	382,23050 Kč	45 867,66 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.