Name: IXSJ25N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ25N120R1-ND
Price: 342.2727 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXSJ25N120R1
Číslo produktu DigiKey	238-IXSJ25N120R1-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXSJ25N120R1
Popis	1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	33 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 28A (Tc) 75,3W (Tc) Průchozí otvor ISO247-3L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	28A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	81mOhm při 12A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,8V při 5,3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	52 nC @ 18 V
Vgs (max)	+21V, -4V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1435 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	75,3W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	ISO247-3L
Pouzdro	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 300

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	282,87000 Kč	282,87 Kč
30	171,82667 Kč	5 154,80 Kč
120	147,48858 Kč	17 698,63 Kč
510	142,94608 Kč	72 902,50 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.