Name: IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSH65N120L2KHV-ND
Price: 255.2132 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXSH65N120L2KHV
Číslo produktu DigiKey	238-IXSH65N120L2KHV-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXSH65N120L2KHV
Popis	1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 65A (Tc) 375W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	65A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	52mOhm při 20A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 9mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	110 nC @ 18 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2160 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4L
Pouzdro	TO-247-4

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem

Zkontrolovat dodací lhůtu

Požádat o sdělení stavu zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	210,92000 Kč	210,92 Kč
10	145,16100 Kč	1 451,61 Kč
450	97,09289 Kč	43 691,80 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.