Name: IXSH60N65L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSH60N65L2KHV-ND
Price: 232.804 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXSH60N65L2KHV
Číslo produktu DigiKey	238-IXSH60N65L2KHV-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXSH60N65L2KHV
Popis	650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 60A (Tc) 249W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	53mOhm při 20A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 7,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	94.7 nC @ 18 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2000 pF @ 600 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	249W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4L
Pouzdro	TO-247-4

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 100

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	192,40000 Kč	192,40 Kč
10	131,75200 Kč	1 317,52 Kč
450	86,04211 Kč	38 718,95 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.