Name: IXSG110N65L2K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSG110N65L2KTR-ND
Price: 332.8347 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXSG110N65L2K
Číslo produktu DigiKey	238-IXSG110N65L2KTR-ND - Páska a cívka (TR) 238-IXSG110N65L2KCT-ND - Řezaná páska (CT) 238-IXSG110N65L2KDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXSG110N65L2K
Popis	650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) Montáž na povrch TOLL
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 12mA
Mfr IXYS	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 125 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +20V, -5V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3090 pF @ 600 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 600W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 111A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TOLL
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro 8-PowerSFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 33mOhm při 40A, 18V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 998

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 000	124,36066 Kč	248 721,32 Kč

Standardní balení výrobce

Jednotková cena bez DPH:	275,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:	332,83470 Kč

IXSG110N65L2K