IXFY5N50P3 IXYS | Diskrétní polovodičové produkty

IXFY5N50P3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Vishay Siliconix

Skladem : 0

Jednotková cena : 3,44000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFY5N50P3
Číslo produktu DigiKey	IXFY5N50P3-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXFY5N50P3
Popis	MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 5A (Tc) 114W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	HiPerFET™, Polar3™
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,65Ohm při 2,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	370 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	114W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IXFY5N50