
IXFT18N100Q3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXFT18N100Q3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXFT18N100Q3 |
Popis | MOSFET N-CH 1000V 18A TO268 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 26 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1000 V 18A (Tc) 830W (Tc) Montáž na povrch TO-268AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 6,5V při 4mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 90 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4890 pF @ 25 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 830W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1000 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-268AA |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 660mOhm při 9A, 10V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 300 | 393,74767 Kč | 118 124,30 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 393,74767 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 476,43468 Kč |


