IXFH9N80Q IXYS | Diskrétní polovodičové produkty

IXFH9N80Q je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 850

Jednotková cena : 80,62000 Kč

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 1 847

Jednotková cena : 115,78000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 544

Jednotková cena : 127,35000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFH9N80Q
Číslo produktu DigiKey	IXFH9N80Q-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXFH9N80Q
Popis	MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD (IXFH)

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	HiPerFET™, Q Class
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,1Ohm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 2,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2200 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	180W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AD (IXFH)
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	IXFH9