IXFH9N80Q je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 518
Jednotková cena : 103,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 812
Jednotková cena : 148,88000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 521
Jednotková cena : 133,97000 Kč
Katalogový list
N-kanál 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD (IXFH)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD (IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH9N80Q

Číslo produktu DigiKey
IXFH9N80Q-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXFH9N80Q
Popis
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD (IXFH)
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
5V při 2,5mA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
56 nC @ 10 V
Řada
Vgs (max)
±20V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2200 pF @ 25 V
Stav součásti
Zastaralé
Rozptylový výkon (Max)
180W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
800 V
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247AD (IXFH)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,1Ohm při 500mA, 10V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Náhrady (3)
Objednací čísloVýrobce DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍČíslo produktu DigiKey Jednotková cena Typ náhrady
SPW11N80C3FKSA1Infineon Technologies518448-SPW11N80C3FKSA1-ND103,52000 KčSimilar
SPW17N80C3FKSA1Infineon Technologies1 812SPW17N80C3FKSA1-ND148,88000 KčSimilar
STW10NK80ZSTMicroelectronics521497-3254-5-ND133,97000 KčSimilar
Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné