MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IXFH50N60X | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXFH50N60X-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXFH50N60X |
Popis | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH) |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 4mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 116 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±30V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4660 pF @ 25 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 660W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V | Dodávaná velikost pouzdra TO-247 (IXTH) |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 73mOhm při 25A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5 069 | 238-IXFH60N65X2-ND | 323,58000 Kč | MFR Recommended |
| FCH070N60E | onsemi | 457 | FCH070N60EOS-ND | 190,03000 Kč | Similar |
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 803 | 448-IPW60R070CFD7XKSA1-ND | 181,63000 Kč | Similar |
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | 10 080 | 448-IPW60R080P7XKSA1-ND | 161,68000 Kč | Similar |
| SIHG47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1 000 | 742-SIHG47N65E-GE3-ND | 203,68000 Kč | Similar |








