MFR Recommended
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

SPW20N60CFDFKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SPW20N60CFDFKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SPW20N60CFDFKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 20,7A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SPW20N60CFDFKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5V při 1mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 124 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2400 pF @ 25 V |
Stav součásti Datum posledního nákupu | Rozptylový výkon (Max) 208W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-1 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 220mOhm při 13,1A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 94,91000 Kč | MFR Recommended |
| IXFH22N60P | IXYS | 0 | IXFH22N60P-ND | 121,25717 Kč | Similar |
| IXFH30N60P | IXYS | 294 | IXFH30N60P-ND | 284,73000 Kč | Similar |
| IXTH30N60P | IXYS | 313 | IXTH30N60P-ND | 283,26000 Kč | Similar |
| SIHG22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG22N65E-GE3-ND | 61,11678 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 240 | 63,03075 Kč | 15 127,38 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 63,03075 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 76,26721 Kč |






