Name: SPD30P06PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD30P06PGBTMA1TR-ND
Price: 48.642 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SPD30P06PGBTMA1
Číslo produktu DigiKey	SPD30P06PGBTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) SPD30P06PGBTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) SPD30P06PGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPD30P06PGBTMA1
Popis	MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SPD30P06PGBTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	SIPMOS®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	75mOhm při 21,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1535 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 155°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SPD30P06