Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 111.1506 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SPB80P06PGATMA1
Číslo produktu DigiKey	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPB80P06PGATMA1
Popis	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SPB80P06PGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	SIPMOS®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	23mOhm při 64A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 5,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5033 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	340W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SPB80P06

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	33,44257 Kč	33 442,57 Kč
2 000	32,86974 Kč	65 739,48 Kč

Jednotková cena bez DPH:	91,86000 Kč
Jednotková cena s DPH:	111,15060 Kč

SPB80P06PGATMA1