P-kanál 60 V 18,7A (Ta) 81,1W (Ta) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
P-kanál 60 V 18,7A (Ta) 81,1W (Ta) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

SPB18P06PGATMA1

Číslo produktu DigiKey
SPB18P06PGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
SPB18P06PGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
SPB18P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
SPB18P06PGATMA1
Popis
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 60 V 18,7A (Ta) 81,1W (Ta) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
SIPMOS®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
18,7A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
130mOhm při 13,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
860 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
81,1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
SPB18P06
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 080
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn.
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT)
Množství Jednotková cena Celk. cena
139,90000 Kč39,90 Kč
1025,26100 Kč252,61 Kč
10016,93070 Kč1 693,07 Kč
50013,35682 Kč6 678,41 Kč
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00012,20740 Kč12 207,40 Kč
2 00011,24023 Kč22 480,46 Kč
3 00010,74748 Kč32 242,44 Kč
5 00010,19394 Kč50 969,70 Kč
7 0009,86618 Kč69 063,26 Kč
10 0009,54762 Kč95 476,20 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:39,90000 Kč
Jednotková cena s DPH:48,27900 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,96000 Kč
IRS2005STRPBF

IRS2005STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

19,53000 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
IRF9Z34NSTRLPBF

IRF9Z34NSTRLPBF

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Infineon Technologies

61,10000 Kč