Name: SPB18P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB18P06PGATMA1TR-ND
Price: 43.8141 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SPB18P06PGATMA1
Číslo produktu DigiKey	SPB18P06PGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) SPB18P06PGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) SPB18P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPB18P06PGATMA1
Popis	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 18,7A (Ta) 81,1W (Ta) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	SIPMOS®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18,7A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	130mOhm při 13,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	860 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	81,1W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SPB18P06