ISZ019N03L5SATMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISZ019N03L5SATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISZ019N03L5SATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISZ019N03L5SATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISZ019N03L5SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISZ019N03L5SATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISZ019N03L5SATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,9mOhm při 20A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Řada OptiMOS™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 44 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2800 pF @ 15 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8-FL
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 22A (Ta), 40A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu ISZ019

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 7 108

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)