ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

ISS17EP06LMXTSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Infineon Technologies

Skladem : 1 757

Jednotková cena : 0,28000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISS17EP06LMXTSA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISS17EP06LMXTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISS17EP06LMXTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISS17EP06LMXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISS17EP06LMXTSA1
Popis	MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 300mA (Ta) 360mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISS17EP06LMXTSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 34µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1.79 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 55 pF @ 30 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 360mW (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-SOT23
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 300mA (Ta)	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu ISS17EP06
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,7Ohm při 300mA, 10V