Name: ISK057N04LM6ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND
Price: 21.175 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISK057N04LM6ATSA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISK057N04LM6ATSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISK057N04LM6ATSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISK057N04LM6ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISK057N04LM6ATSA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 15A (Ta), 64A (Tc) 2,1W (Ta), 39,1W (Tc) Montáž na povrch PG-VSON-6-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISK057N04LM6ATSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15A (Ta), 64A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,75mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	870 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 39,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-VSON-6-1
Pouzdro	6-PowerVDFN