Name: ISC022N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 161.3414 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISC022N10NM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISC022N10NM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISC022N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISC022N10NM6ATMA1
Popis	TRENCH >=100V PG-TSON-8
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISC022N10NM6ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,3V při 147µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 91 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 6	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6880 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3W (Ta), 254W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSON-8-3
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 25A (Ta), 230A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Základní číslo produktu ISC022N
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,24mOhm při 50A, 10V