Name: ISC022N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 93.0006 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

ISC022N10NM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISC022N10NM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISC022N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISC022N10NM6ATMA1
Popis	TRENCH >=100V PG-TSON-8
Standardní dodací lhůta výrobce	52 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISC022N10NM6ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	25A (Ta), 230A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,24mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 147µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6880 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 254W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-8-3
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	ISC022N

Jednotková cena bez DPH:	76,86000 Kč
Jednotková cena s DPH:	93,00060 Kč

ISC022N10NM6ATMA1