N-kanál 60 V 41A (Ta), 348A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISC009N06LM5ATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-ISC009N06LM5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-ISC009N06LM5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-ISC009N06LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
ISC009N06LM5ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 41A (Ta), 348A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
ISC009N06LM5ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™ 5
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
41A (Ta), 348A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
0,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,3V při 147µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
209 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
13000 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3W (Ta), 214W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TSON-8-3
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
ISC009N
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 997
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1122,37000 Kč122,37 Kč
1081,51000 Kč815,10 Kč
10058,36280 Kč5 836,28 Kč
50051,21624 Kč25 608,12 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00041,84320 Kč209 216,00 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:122,37000 Kč
Jednotková cena s DPH:148,06770 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
6 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,60000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

24,23000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

17,04000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

20,33000 Kč
1EDI60N12AFXUMA1

1EDI60N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

42,09000 Kč
2EDS8265HXUMA1

2EDS8265HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

78,84000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
6 Položky
IQDH88N06LM5SCATMA1

IQDH88N06LM5SCATMA1

OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150

Infineon Technologies

125,24000 Kč
NTMTS0D7N06CTXG

NTMTS0D7N06CTXG

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

onsemi

98,35000 Kč
ISC011N06LM5ATMA1

ISC011N06LM5ATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8

Infineon Technologies

106,76000 Kč
S2761-46R

S2761-46R

PC TEST POINT NATURAL

Harwin Inc.

4,72000 Kč
VO615A-3X007T

VO615A-3X007T

OPTOISOLATOR 5KV 1CH TRANS 4-SMD

Vishay Semiconductor Opto Division

8,21000 Kč
FDMS86200

FDMS86200

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

onsemi

67,55000 Kč