Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 62.5086 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRLR3636TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRLR3636TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Montáž na povrch
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRLR3636TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 100µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 49 nC @ 4.5 V
Řada HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3779 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 143W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA (DPAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 50A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu IRLR3636
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,8mOhm při 50A, 10V