Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 58.5882 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRLR3636TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRLR3636TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRLR3636TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Montáž na povrch
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRLR3636TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	50A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,8mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	49 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3779 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	143W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA (DPAK)
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	IRLR3636