Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBFTR-ND
Price: 82.5704 CZK
Availability: InStock

IRLH5030TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRLH5030TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRLH5030TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRLH5030TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRLH5030TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRLH5030TRPBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 150µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5185 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,6W (Ta), 156W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-PQFN (5x6)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	IRLH5030

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
4 000	20,00201 Kč	80 008,04 Kč
8 000	19,55964 Kč	156 477,12 Kč

Jednotková cena bez DPH:	68,24000 Kč
Jednotková cena s DPH:	82,57040 Kč

IRLH5030TRPBF