IRFS4310PBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 153
Jednotková cena : 65,29000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 33,25230 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 80,21000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 161,38000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 55,66773 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 57,43003 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 139,20000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 60,93680 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 1 031
Jednotková cena : 77,81000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 792
Jednotková cena : 64,06000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 68,16000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 81,92000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 285
Jednotková cena : 69,60000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 639
Jednotková cena : 62,62000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFS4310PBF

Číslo produktu DigiKey
IRFS4310PBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFS4310PBF
Popis
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
7mOhm při 75A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
7670 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
D2PAK
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.