IRFS4310PBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 071
Jednotková cena : 2,50000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,39883 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 5 238
Jednotková cena : 3,31000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 116
Jednotková cena : 6,79000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,34177 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,41590 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 2 298
Jednotková cena : 5,86000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,98463 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 1 481
Jednotková cena : 3,27000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 812
Jednotková cena : 2,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,87000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 3,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 335
Jednotková cena : 2,93000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 775
Jednotková cena : 2,99000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFS4310PBF

Číslo produktu DigiKey
IRFS4310PBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFS4310PBF
Popis
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
7mOhm při 75A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
7670 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
D2PAK
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.